24.01.2019

МЕЖДУНАРОДНАЯ БАЙКАЛЬСКАЯ МОЛОДЕЖНАЯ НАУЧНАЯ ШКОЛА ПО ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКЕ
«ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В КОСМОСЕ И ОКОЛОЗЕМНОЙ СРЕДЕ»

XVI Конференция молодых ученых «Взаимодействие полей и излучения с веществом»

Иркутск, 16 – 21 сентября 2019 г.

Подробнее на сайте конференции: bsfp.iszf.irk.ru

11.01.2019

30 января в 16:00 в 406 аудитории (ИБГ), состоится научный семинар ИФМК УФИЦ РАН:

Дмитриев Сергей Владимирович, ИПСМ РАН.
Пространственно локализованные и делокализованные колебания кристаллических решеток.

05.12.2018

12 декабря в 15:00 в 406 аудитории (ИБГ), состоится научный семинар ИФМК УФИЦ РАН:

• З.В. Гареева "Спиновые циклоиды в феррите висмута"
• И.Р. Каюмов "Нелинейная динамика в магнетиках"
• В.Н. Назаров "Авторезонансная модель управления нелинейной
  динамикой намагниченности в трехслойной магнитной структуре с учетом затухания в системе"»
• Р.Ф. Ахметьянов "Проблемы и способ решения задач для
  малочастичных систем с кулоновским взаимодействием"

13.11.2018

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук (ИФМК УНЦ РАН) является структурным звеном Российской академии наук, расположенным на территории Республики Башкортостан и единственным в Республики академическим институтом, работающим над фундаментальными проблемами физики. Предшественником ИФМК по праву считается Уфимский физический институт. Реальная история ИФМК УНЦ РАН началась в 1971 году с образования Отдела физики и математики Башкирского филиала АН СССР, позднее разделившегося на Институт математики и Отдел физики. Постановлением Президиума Российской академии наук от 14 июня 1994 г. Отдел физики Уфимского научного центра РАН был переименован в Институт физики молекул и кристаллов РАН.

Основные направления деятельности Института включают:

- в области физики конденсированных сред: неравновесные структурные превращения в средах с пространственно-временной дисперсией, в частности в жидких кристаллах; физические свойства органических полупроводников, магнитных и других наноматериалов, в том числе в условиях воздействия внешних полей;